FGB20N6S2DT IGBT 晶体管 600V N-Ch IGBT SMPS II Series datasheet RF/IF 和 RFID

型号：	FGB20N6S2DT
库存数量：	可订货
制造商：	Fairchild Semiconductor
描述：	IGBT 晶体管 600V N-Ch IGBT SMPS II Series
RoHS：	否

详细参数

参数	数值
产品分类	RF/IF 和 RFID >> IGBT 晶体管
描述	IGBT 晶体管 600V N-Ch IGBT SMPS II Series
FGB20N6S2DT PDF下载
制造商	Fairchild Semiconductor
配置	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO	600 V
集电极—射极饱和电压
栅极/发射极最大电压	+/- 20 V
在25 C的连续集电极电流
栅极—射极漏泄电流
功率耗散
最大工作温度	+ 150 C
封装 / 箱体	TO-263AB-3
封装	Reel

相关资料

属性	链接
代理商	FGB20N6S2DT FGB20N6S2T FGB3040CS FGB3040CSTR FGB3040G2 FGB3040G2_F085

供应商

FGB20N6S2T IGBT 晶体管 600V N-Channel IGBT SMPS II Series
FGD3040G2_F085 IGBT 晶体管 EcoSPARK2 300mJ 400V N-Chan Ignition IGBT
FGD3440G2_F085 IGBT 晶体管 EcoSPARK2 335mJ 400V N-Chan Ignition IGBT
FGD3N60UNDF IGBT 晶体管 600V, 3A Short Circuit Rated IGBT
FGH30N60LSD IGBT 晶体管 1.1V 30A High Speed
FGH30S130P IGBT 晶体管 1300V 30A FS SA Trench IGBT
FGH40T65UPD IGBT 晶体管 650 V 80 A 268 W
FGH50T65UPD IGBT 晶体管 650 V 100 A 240 W
FGH75T65UPD IGBT 晶体管 650V 150A 187W
FGK60N6S2D IGBT 晶体管 Dl 600V N-Ch

FGB20N6S2T
IGBT 晶体管 600V N-Channel IGBT SMPS II Series

FGD3040G2_F085
IGBT 晶体管 EcoSPARK2 300mJ 400V N-Chan Ignition IGBT

FGD3440G2_F085
IGBT 晶体管 EcoSPARK2 335mJ 400V N-Chan Ignition IGBT

FGD3N60UNDF
IGBT 晶体管 600V, 3A Short Circuit Rated IGBT

FGH30N60LSD
IGBT 晶体管 1.1V 30A High Speed

FGH30S130P
IGBT 晶体管 1300V 30A FS SA Trench IGBT

FGH40T65UPD
IGBT 晶体管 650 V 80 A 268 W

FGH50T65UPD
IGBT 晶体管 650 V 100 A 240 W

FGH75T65UPD
IGBT 晶体管 650V 150A 187W

FGK60N6S2D
IGBT 晶体管 Dl 600V N-Ch